Postępowanie zakończone — wybrano wykonawcę
ZakończoneTEDWynik postępowania (UE)
Wynik postępowania
Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).
Wybrano wykonawcę
Lokalizacja
Wartość szacunkowa
Brak
Wadium
Brak
Termin składania ofert
Brak
Analiza wyniku postępowania
Podsumowanie
- 1
WykonawcaWybrano ofertę firmy Kanematsu Corporation (Tokyo).
- 2
UmowaW postępowaniu złożono 0 ofert.
Podsumowanie wygenerowane automatycznie · Zawsze weryfikuj z oryginalnym ogłoszeniem
Przebieg postępowania
4 wpisyWszystkie ogłoszenia powiązane z tym postępowaniem — od pierwszego komunikatu do ostatniej aktualizacji lub wyniku.
Wynik postępowania
Pełna treść wyniku postępowania wraz z informacją o rozstrzygnięciu i dokumentem źródłowym.
Sekcje ogłoszenia
1ZamawiającySekcja 1
Nazwa
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Miejscowość
Warszawa
2Przedmiot zamówieniaSekcja 2
Nazwa
Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).
Główny Kod CPV
38500000-0 - Aparatura kontrolna i badawcza
Opis zamówienia
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania.
Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową.
Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne:
1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³).
2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h".
3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h.
4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym.
ENGLISH VERSION
The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system.
Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase.
Contractor should supply the following reference data
1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously
2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h”
3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate
4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania.
Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową.
Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne:
1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³).
2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h".
3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h.
4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym.
ENGLISH VERSION
The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system.
Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase.
Contractor should supply the following reference data
1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously
2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h”
3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate
4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
CZĘŚCI ZAMÓWIENIA (1)
Część nr LOT-0001
Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania.
Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową.
Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne:
1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³).
2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h".
3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h.
4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym.
ENGLISH VERSION
The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system.
Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase.
Contractor should supply the following reference data
1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously
2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h”
3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate
4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania.
Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową.
Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne:
1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³).
2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h".
3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h.
4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym.
ENGLISH VERSION
The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system.
Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase.
Contractor should supply the following reference data
1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously
2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h”
3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate
4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
3ProceduraSekcja 3
Tryb udzielenia zamówienia
Procedura otwarta
4Informacje dodatkoweSekcja 4
1. W celu wykazania, że brak jest podstaw do wykluczenia z postępowania, Wykonawca, którego oferta została najwyżej oceniona, zobowiązany jest złożyć Jednolity Europejski Dokument Zamówienia ( JEDZ) wzór - Załącznik nr 5 do SWZ. Zgodnie z art. 139 ust 2 Zamawiający żąda powyższego oświadczenia wyłącznie od wykonawcy, którego oferta została najwyżej oceniona. 2. Źródło podstaw wykluczenia - dokumenty zamówienia punkt 5 SWZ.
"Data początkowa" z punktu 5.1.3 "Szacowany okres obowiązywania" jest datą orientacyjną terminu podpisania umowy. Termin wykonania zamówienia: do 15.12.2025.
Analiza rynku
Typowy budżet zamawiającego w tej kategorii CPV, podobne postępowania oraz historia zamawiającego i rynek lokalny.
Typowy budżet w tej kategorii CPV
38500000-0•Aparatura kontrolna i badawcza
Mediana budżetu
235 585 zł
Próbka: 748 postępowań
Ostatnie 12 miesięcy
Środkowe 50% w przedziale
96 486 zł – 542 061 zł
Rozstęp międzykwartylowy
445 575 zł
Źródło próbki
CPV 38500000· dokładne dopasowanie (8 cyfr)
Dolny kwartyl
96 486 zł
Mediana
235 585 zł
Górny kwartyl
542 061 zł
Jak liczymy benchmark?
Statystyki obliczamy z pola wartość szacunkowa zamówienia podanego przez zamawiającego w ogłoszeniu — to budżet planowany, nie zawsze odpowiada cenie kontraktowej po rozstrzygnięciu. Używamy percentyli (mediana, Q1, Q3), więc wyniki są odporne na pojedyncze ekstremalne ogłoszenia.
Podobne przetargi
Ta sama kategoria CPV, ostatni rok
Brak danych do porównania.
Historia zamawiającego
Najnowsze postępowania tego podmiotu
Brak danych do porównania.
Powiązane lokalnie
Aktywne w tym samym rynku lokalnym
Brak danych do porównania.
Dokumenty i komunikacja
Platforma składania ofert, linki do dokumentacji i dane kontaktowe zamawiającego.
Platforma zakupowa
Miejsce składania ofert lub komunikacji z zamawiającym.
Najczęstsze pytania
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk prowadzi postępowanie, a miejscem realizacji jest Warszawa.
Ogłoszenie zostało oznaczone kodem CPV 38500000-0 - Aparatura kontrolna i badawcza. CPV (Common Procurement Vocabulary) to unijny słownik klasyfikacyjny, dzięki któremu możesz łatwo porównać to postępowanie z podobnymi zamówieniami w tej samej kategorii.
Zamówienie zostało udzielone: Kanematsu Corporation (Tokyo). Szczegóły wyboru, punktacji i wartości umowy znajdziesz w treści ogłoszenia o wyniku.
Pełne ogłoszenie jest dostępne w oficjalnym źródle (portal TED Komisji Europejskiej). Atlas Przetargów prezentuje treść zgodnie z dokumentem źródłowym wraz z linkiem do oryginału.